IXRA15N120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXRA15N120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXRA15N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXRA15N120 даташит

 ..1. Size:150K  ixys
 ixra15n120.pdf pdf_icon

IXRA15N120

Advanced Technical Information IXRA 15N120 VCES = 1200 V IGBT with Reverse IC25 = 25 A Blocking capability VCE(sat) typ. = 2.5 V 2 TO-263AB 1 TAB 3 1 = Gate; 2, TAB = Collector; 3 = Emitter Features IGBT IGBT with NPT (non punch through) Symbol Conditions Maximum Ratings structure VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V reverse blocking capability VGES Conti

Другие IGBT... IXGX72N60A3H1, IXGX72N60B3H1, IXGX72N60C3H1, IXGX75N250, IXGX82N120A3, IXGX82N120B3, IXGY2N120, IXLF19N250A, GT30J127, STGWT40HP65FB, IXRH40N120, IXRP15N120, IXSA10N60B2D1, IXSA15N120B, IXSA20N60B2D1, IXSH10N60B2D1, IXSH15N120BD1