IXSH24N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSH24N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSH24N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXSH24N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH24N60BD1 даташит

 ..1. Size:100K  ixys
 ixsh24n60bd1.pdf pdf_icon

IXSH24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

 ..2. Size:102K  ixys
 ixsh24n60b ixsh24n60bd1 ixst24n60b ixst24n60bd1.pdf pdf_icon

IXSH24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

 4.1. Size:100K  ixys
 ixsh24n60b.pdf pdf_icon

IXSH24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

 5.1. Size:111K  ixys
 ixsh24n60 a.pdf pdf_icon

IXSH24N60BD1

Advance Technical Information VCES IC90 VCE(sat) HiPerFASTTM IGBT IXSH24N60 600V 24A 2.2V Short Circuit SOA Capability 600V 24A 2.7V IXSH24N60A TO-247 (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G TAB C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector IC25 TC = 25 C 48 A E = Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 , IXSH10N60B2D1 , IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , CRG60T60AN3H , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , IXSH45N120B , IXSK35N120BD1 , IXSK80N60B , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 .

History: STGB3NB60SD | STGW20NB60HD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.