IXSH30N60B2D1 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXSH30N60B2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXSH30N60B2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 50 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXSH30N60B2D1

IXSH30N60B2D1 Datasheet (PDF)

..1. Size:518K ixys
ixsh30n60b2d1.pdf

High Speed IGBT IXSH 30N60B2D1VCES = 600 VIXST 30N60B2D1with Diode IC25 = 48 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCEIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C

..2. Size:616K ixys
ixsh30n60b2d1 ixst30n60b2d1.pdf

4.1. Size:129K ixys
ixsh30n60b.pdf

VCES ICES tfiHigh Speed IGBTIXSH/IXST 30N60B 600 V 2.0 V 140 nsIXSH/IXST 30N60C 600 V 2.5 V 70 nsShort Circuit SOA CapabilityTO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC = 25C55 AIC90 TC = 90C30 AGICM

4.2. Size:117K ixys
ixsh30n60bd1.pdf

High Speed IGBT with Diode IXSH 30N60BD1VCES = 600 VIXSK 30N60BD1IC25 = 55 AIXST 30N60BD1VCE(sat) = 2.0 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 140 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3)IC25 TC = 25C55 A(IXST)IC9

5.1. Size:81K ixys
ixsh30n60u1.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXSH 30 N60U1 600 V 50 A 2.5 VHigh Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60AU1 600 V 50 A 3.0 VCombi PacksShort Circuit SOA CapabilityTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AG = Gat

5.2. Size:81K ixys
ixsh30n60u1 ixsh30n60au1.pdf

5.3. Size:131K ixys
ixsh30n60 ixst30n60.pdf

5.4. Size:71K ixys
ixsh30n60cd1.pdf

High Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60CD1VCES = 600 VIXSK 30 N60CD1IC25 = 55 AIXST 30 N60CD1VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 70 nsPreliminary dataTO-247AD(IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 600 V EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-268 (D3)(IXST)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VCG

5.5. Size:263K ixys
ixsh30n60 ixsh30n60a ixsm30n60 ixsm30n60a.pdf