Справочник IGBT. IXSK35N120BD1

 

IXSK35N120BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSK35N120BD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 315 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXSK35N120BD1

 

 

IXSK35N120BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ixys
 ixsk35n120bd1 ixsx35n120bd1.pdf

IXSK35N120BD1 IXSK35N120BD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 ..2. Size:115K  ixys
 ixsk35n120bd1.pdf

IXSK35N120BD1 IXSK35N120BD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 4.1. Size:39K  ixys
 ixsk35n120au1.pdf

IXSK35N120BD1 IXSK35N120BD1

High Voltage IXSK35N120AU1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIC25 = 70 ACombi PackVCE(sat) =4 VShort Circuit SOA CapabilityTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C35 AE =

 9.1. Size:71K  ixys
 ixsk30n60cd1.pdf

IXSK35N120BD1 IXSK35N120BD1

High Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60CD1VCES = 600 VIXSK 30 N60CD1IC25 = 55 AIXST 30 N60CD1VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 70 nsPreliminary dataTO-247AD(IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 600 V EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-268 (D3)(IXST)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VCG

 9.2. Size:117K  ixys
 ixsk30n60bd1.pdf

IXSK35N120BD1 IXSK35N120BD1

High Speed IGBT with Diode IXSH 30N60BD1VCES = 600 VIXSK 30N60BD1IC25 = 55 AIXST 30N60BD1VCE(sat) = 2.0 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 140 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3)IC25 TC = 25C55 A(IXST)IC9

Другие IGBT... IXSH15N120BD1 , IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , IXSH45N120B , IRG7IC28U , IXSK80N60B , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 .

 

 
Back to Top