Справочник IGBT. IXSK80N60B

 

IXSK80N60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSK80N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 660 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXSK80N60B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSK80N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  ixys
 ixsk80n60b.pdf pdf_icon

IXSK80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 VHigh Current IGBTShort Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 AVCE(sat) = 2.5 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVCES Continuous 20 V (TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AAIC90 TC = 90C (

 ..2. Size:45K  ixys
 ixsk80n60b ixsx80n60b.pdf pdf_icon

IXSK80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 VHigh Current IGBTShort Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 AVCE(sat) = 2.5 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVCES Continuous 20 V (TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AAIC90 TC = 90C (

Другие IGBT... IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , IXSH45N120B , IXSK35N120BD1 , SGT50T65FD1PN , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D .

History: IXGX72N60B3H1 | SPT50N65F1A | 2MBI150N-060 | FGD3245G2-F085C | 1MBH50D-060 | 2MBI300P-140 | MPBP15N65EF

 

 
Back to Top

 


 
.