IXSK80N60B - аналоги и описание IGBT

 

IXSK80N60B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSK80N60B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 660 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXSK80N60B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSK80N60B даташит

 ..1. Size:43K  ixys
 ixsk80n60b.pdf pdf_icon

IXSK80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 V High Current IGBT Short Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 A VCE(sat) = 2.5 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VCES Continuous 20 V (TAB) G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AA IC90 TC = 90 C (

 ..2. Size:45K  ixys
 ixsk80n60b ixsx80n60b.pdf pdf_icon

IXSK80N60B

IXSK 80N60B VCES = 600 V High Current IGBT Short Circuit SOA Capability IXSX 80N60B IC25 = 160 A VCE(sat) = 2.5 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VCES Continuous 20 V (TAB) G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C (silicon chip capability) 160 A TO-264 AA IC90 TC = 90 C (

Другие IGBT... IXSH20N60B2D1 , IXSH24N60B , IXSH24N60BD1 , IXSH30N60B2D1 , IXSH35N120B , SIG20N60P1A , IXSH45N120B , IXSK35N120BD1 , IHW20N120R3 , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IXSP20N60B2D1 , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.