DG75X12T2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: DG75X12T2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 852 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 117 nS
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для DG75X12T2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
DG75X12T2 даташит
Другие IGBT... SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L , MBQ40T65FDSC , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S .
History: SNG301010 | SGS5N60RUFD
History: SNG301010 | SGS5N60RUFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023