Справочник IGBT. G7N60C3D

 

G7N60C3D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: G7N60C3D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 8.5

Корпус: TO220AB

Аналог (замена) для G7N60C3D

 

 

G7N60C3D Datasheet (PDF)

5.1. hgtp7n60a4 hgtg7n60a4 hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
G7N60C3D

 HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 • >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining • 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These • 600V Switching SOA Capability devices have t

Другие IGBT... G3N60C3D , G40N60B3 , G6N40E , G6N40E1D , G6N50E , G6N50E1D , G7N60C , G7N60C3 , IKW40T120 , G8P50G , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U .

 

 
Back to Top