IXYH82N120C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH82N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYH82N120C3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 78 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 285 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH82N120C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH82N120C3 даташит

 ..1. Size:199K  ixys
 ixyh82n120c3.pdf pdf_icon

IXYH82N120C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH82N120C3 GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient

 9.1. Size:184K  ixys
 ixyh80n90c3.pdf pdf_icon

IXYH82N120C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYT80N90C3 GenX3TM IC110 = 80A IXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-268 (IXYT) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V TO-247 (IXYH) VGES Continuous 20 V

Другие IGBT... IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , TGPF30N43P , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH .

History: MIAA15WE600TMH | SKM40GDL123D | MIAA10WF600TMH | IGC18T120T8Q | MID400-12E4 | AFGY160T65SPD-B4 | IXYH50N120C3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.