IXYH82N120C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXYH82N120C3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 78 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 285 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 215 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXYH82N120C3
IXYH82N120C3 Datasheet (PDF)
ixyh82n120c3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH82N120C3GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient
ixyh80n90c3.pdf
Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYT80N90C3GenX3TM IC110 = 80AIXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-268 (IXYT)GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VTO-247 (IXYH)VGES Continuous 20 V
Другие IGBT... IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , GT30J127 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2