Справочник IGBT. MII300-12E4

 

MII300-12E4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MII300-12E4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MII300-12E4 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:191K  ixys
 mii300-12a4.pdf pdf_icon

MII300-12E4

MII 300-12A4 MID 300-12A4 MDI 300-12A4IC25 = 330 AIGBT ModulesVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.2 VSquare RBSOAMII 300-12A4 MID 300-12A4MDI 300-12A411 103 3 39T1T1 8D1D1 D113288119 1 19T2 T2D2D12 D211 11E7287310 2 102 2FeaturesIGBTs T1 - T2 NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings

Другие IGBT... MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , YGW60N65F1A2 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.