MII300-12E4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MII300-12E4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MII300-12E4
MII300-12E4 Datasheet (PDF)
mii300-12a4.pdf
MII 300-12A4 MID 300-12A4 MDI 300-12A4IC25 = 330 AIGBT ModulesVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.2 VSquare RBSOAMII 300-12A4 MID 300-12A4MDI 300-12A411 103 3 39T1T1 8D1D1 D113288119 1 19T2 T2D2D12 D211 11E7287310 2 102 2FeaturesIGBTs T1 - T2 NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings
Другие IGBT... MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , FGH30S130P , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2