Справочник IGBT. GA125TS120U

 

GA125TS120U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GA125TS120U

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 625W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.00V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 125A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: INT-A-PAK

Аналог (замена) для GA125TS120U

 

 

GA125TS120U Datasheet (PDF)

1.1. ga125ts120u.pdf Size:221K _international_rectifier

GA125TS120U
GA125TS120U

PD - 50053B GA125TS120U Ultra-FastTM Speed IGBT "HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAK Features VCES = 1200V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 VCE(on) typ. = 2.2V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses @VGE = 15V, IC = 125A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft recovery

Другие IGBT... G6N50E , G6N50E1D , G7N60C , G7N60C3 , G7N60C3D , G8P50G , GA100TS120U , GA100TS60U , G20N60B3 , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U .

Back to Top

 


GA125TS120U
  GA125TS120U
  GA125TS120U
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top