MITB10WB1200TMH - аналоги и описание IGBT

 

MITB10WB1200TMH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MITB10WB1200TMH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 17 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MITB10WB1200TMH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MITB10WB1200TMH даташит

 0.1. Size:183K  ixys
 mitb10wb1200tmh.pdf pdf_icon

MITB10WB1200TMH

Advanced Technical Information MITB10WB1200TMH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM25 = 90 A IC25 = 17 A IC25 = 17 A Low Loss Trench IGBT IFSM = 300 A VCE(sat) = 1.9 V VCE(sat) = 1.9 V Part name (Marking on product) MITB10WB1200TMH P P1 T1 T3 T5 D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5 NTC1 G1

 9.1. Size:182K  ixys
 mitb15wb1200tmh.pdf pdf_icon

MITB10WB1200TMH

MITB15WB1200TMH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 A Low Loss Trench IGBT IFSM = 300 A VCE(sat) = 1.7 V VCE(sat) = 1.7 V Part name (Marking on product) MITB15WB1200TMH P P1 T1 T3 T5 D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5 NTC1 G1 G3 G5 L1 L2 B U V W L3 T2

Другие IGBT... MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , FGH40N60SFD , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.