MITB15WB1200TMH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MITB15WB1200TMH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 29 A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MITB15WB1200TMH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MITB15WB1200TMH даташит
mitb15wb1200tmh.pdf
MITB15WB1200TMH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 A Low Loss Trench IGBT IFSM = 300 A VCE(sat) = 1.7 V VCE(sat) = 1.7 V Part name (Marking on product) MITB15WB1200TMH P P1 T1 T3 T5 D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5 NTC1 G1 G3 G5 L1 L2 B U V W L3 T2
mitb10wb1200tmh.pdf
Advanced Technical Information MITB10WB1200TMH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM25 = 90 A IC25 = 17 A IC25 = 17 A Low Loss Trench IGBT IFSM = 300 A VCE(sat) = 1.9 V VCE(sat) = 1.9 V Part name (Marking on product) MITB10WB1200TMH P P1 T1 T3 T5 D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5 NTC1 G1
Другие IGBT... MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , GT30J124 , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM , MIXA10W1200TML .
History: IKA10N65ET6
History: IKA10N65ET6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor


