Справочник IGBT. MITB15WB1200TMH

 

MITB15WB1200TMH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MITB15WB1200TMH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 29 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 92 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MITB15WB1200TMH

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MITB15WB1200TMH Datasheet (PDF)

 0.1. Size:182K  ixys
 mitb15wb1200tmh.pdf pdf_icon

MITB15WB1200TMH

MITB15WB1200TMHThree Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 ALow Loss Trench IGBTIFSM = 300 A VCE(sat) = 1.7 V VCE(sat) = 1.7 VPart name (Marking on product)MITB15WB1200TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1L2 B U V WL3T2

 9.1. Size:183K  ixys
 mitb10wb1200tmh.pdf pdf_icon

MITB15WB1200TMH

Advanced Technical Information MITB10WB1200TMHThree Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 17 A IC25 = 17 ALow Loss Trench IGBTIFSM = 300 A VCE(sat) = 1.9 V VCE(sat) = 1.9 VPart name (Marking on product)MITB10WB1200TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5NTC1G1

Другие IGBT... MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , FGH40N60SFD , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM , MIXA10W1200TML .

History: IRGP4062D-EPBF | SKM75GD124D | APTGT50X170BTP3 | 1MB05D-120 | MMG200DR060UK

 

 
Back to Top

 


 
.