IGC18T120T6L - аналоги и описание IGBT

 

IGC18T120T6L - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGC18T120T6L

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF

Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для IGC18T120T6L

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC18T120T6L даташит

 ..1. Size:69K  infineon
igc18t120t6l.pdfpdf_icon

IGC18T120T6L

IGC18T120T6L IGBT4 Low Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC18T120T6L 1200V 15A 4.16 x 4.34 mm2 sawn on foil MECHANICAL

 4.1. Size:68K  infineon
igc18t120t8q.pdfpdf_icon

IGC18T120T6L

IGC18T120T8Q High Speed IGBT in Trench and Fieldstop Technology Features Recommended for 1200V Trench + Field stop technology discrete components C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling high frequency drives G UPS E Welding Solar inverters Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC18T120T8Q 1200V 15

 4.2. Size:69K  infineon
igc18t120t8l.pdfpdf_icon

IGC18T120T6L

IGC18T120T8L IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC18T120T8L 1200V 15A

 8.1. Size:73K  infineon
sigc18t60snc.pdfpdf_icon

IGC18T120T6L

SIGC18T60SNC IGBT Chip in NPT-technology C FEATURES This chip is used for 600V NPT technology 100 m chip SGP20N60 short circuit prove positive temperature coefficient Applications G easy paralleling E drives Chip Type VCE ICn Die Size Package Ordering Code Q67041-S2856- SIGC18T60SNC 600V 20A 4.3 x 4.3 mm2 sawn on foil A001 Q67041-S28

Другие IGBT... MIXA10W1200TMH , IGC193T120T8RM , MIXA10W1200TML , IGC18T120T8Q , MIXA10WB1200TED , IGC18T120T8L , MIXA10WB1200TMH , MIXA10WB1200TML , RJP30H1DPD , MIXA150W1200TEH , IGC13T120T6L , MIXA151W1200EH , IGC54T65T8RM , MIXA20W1200MC , IGC54T65R3QE , MIXA20W1200TMH , IGC50T120T8RQ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.