Справочник IGBT. GA150TS60U

 

GA150TS60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA150TS60U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 440 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 860 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 624 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для GA150TS60U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GA150TS60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  international rectifier
 ga150ts60u.pdf pdf_icon

GA150TS60U

PD -50056CGA150TS60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Generation 4 IGBT technologyVCES = 600V UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.7V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes wit

 8.1. Size:181K  international rectifier
 ga150td12u.pdf pdf_icon

GA150TS60U

PD -5.067GA150TD120UP "HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBTFeaturesVCES = 1200V Generation 4 IGBT technology Standard: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 10kHzVCE(on) typ. = 2.4V Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft@VGE = 15V, IC = 150A recovery

 8.2. Size:298K  international rectifier
 ga150td120u.pdf pdf_icon

GA150TS60U

PD - 5.067AGA150TD120UPRELIMINARY"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBTFeaturesVCES = 1200V Generation 4 IGBT technology Standard: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 10kHzVCE(on) typ. = 2.4V Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft@VGE = 15V, IC = 150A

 9.1. Size:154K  international rectifier
 ga150ks61u.pdf pdf_icon

GA150TS60U

PD -94346GA150KS61U Low Side Switch Chopper ModuleIGBT INT-A-PAKUltra-FastTM Speed IGBTFeatures3 Generation 4 IGBT technologyVCES = 600V UltraFast: Optimized for high operating1 frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.7V6 kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DG75X07T2L , DG75X12T2 , MSG100D350FHS , MSG100N350FH , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , IKW40N65WR5 , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U .

 

 
Back to Top

 


 
.