IGC99T120T6RL - аналоги и описание IGBT

 

IGC99T120T6RL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGC99T120T6RL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 405 pF

Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для IGC99T120T6RL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC99T120T6RL даташит

 ..1. Size:71K  infineon
igc99t120t6rl.pdfpdf_icon

IGC99T120T6RL

IGC99T120T6RL IGBT4 Low Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC99T120T6RL 1200V 100A 10.39 x 9.5 mm2 sawn on foil MECHANIC

 2.1. Size:71K  infineon
igc99t120t6rh.pdfpdf_icon

IGC99T120T6RL

IGC99T120T6RH IGBT4 High Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low V medium / high power modules CE(sat) soft turn off positive temperature coefficient Applications easy paralleling G medium / high power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC99T120T6RH 1200V 100A 10.39 x 9.5 mm2 sawn o

 2.2. Size:71K  infineon
igc99t120t6rm.pdfpdf_icon

IGC99T120T6RL

IGC99T120T6RM IGBT4 Medium Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses medium power modules soft turn off positive temperature coefficient Applications easy paralleling G medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC99T120T6RM 1200V 100A 10.39 x 9.5 mm2 sawn on foil

 4.1. Size:67K  infineon
igc99t120t8rl.pdfpdf_icon

IGC99T120T6RL

IGC99T120T8RL IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC99T120T8RL 1200V 10

Другие IGBT... IGC99T120T8RM , MIXA40W1200TML , IGC99T120T8RL , MIXA40WB1200TED , IGC99T120T8RH , MIXA60W1200TED , IGC99T120T6RM , MIXA60WB1200TEH , IRG4PC50U , MIXA61H1200ED , IGC99T120T6RH , MIXA80R1200VA , MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , MIXA80W1200TEH , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH .

History: IRG4RC20F | IRG4PSH71UD

 

 

 


 
↑ Back to Top
.