Справочник IGBT. GA250TD120U

 

GA250TD120U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA250TD120U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 227 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1979 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1979 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA250TD120U

 

 

GA250TD120U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  international rectifier
 ga250td120u.pdf

GA250TD120U GA250TD120U

PD - 50054AGA250TD120U"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBTFeatures Generation 4 IGBT technologyVCES = 1200VVCES = 1200V Standard: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 10kHzVCE(on) typ. = 2.4V Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft recovery @VGE = 15V,

 8.1. Size:260K  international rectifier
 ga250ts60u.pdf

GA250TD120U GA250TD120U

PD - 50047CGA250TS60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.9V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 250A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft

 9.1. Size:292K  vishay
 vs-ga250sa60s.pdf

GA250TD120U GA250TD120U

VS-GA250SA60Swww.vishay.comVishay SemiconductorsInsulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 AFEATURES Standard: optimized for minimum saturation voltage and low speed Lowest conduction losses available Fully isolated package (2500 VAC) Very low internal inductance (5 nH typical) Industry standard outlineSOT-227 Designed and qualified for i

Другие IGBT... GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U , GA200TD120U , FGPF4533 , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U .

 

 
Back to Top