Справочник IGBT. MKI50-12E7

 

MKI50-12E7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MKI50-12E7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MKI50-12E7

 

 

MKI50-12E7 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:74K  ixys
 mki50-12f7.pdf

MKI50-12E7 MKI50-12E7

Advanced Technical Information MKI 50-12F7IC25 = 65 AIGBT ModulesVCES = 1200 VH BridgeVCE(sat) typ. = 3.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 92 1016141134 1217MKIFeatures IGBTs Fast NPT IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 Veasy paralleling

 8.1. Size:96K  ixys
 mki50-06a7t.pdf

MKI50-12E7 MKI50-12E7

MKI 50-06 A7MKI 50-06 A7TIC25 = 72 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13T5Type NTC - Option T1D1 D591MKI 50-06 A7 without NTCT102MKI 50-06 A7T with NTC1614T2 T6D2 D611T312417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage

 8.2. Size:96K  ixys
 mki50-06a7.pdf

MKI50-12E7 MKI50-12E7

MKI 50-06 A7MKI 50-06 A7TIC25 = 72 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13T5Type NTC - Option T1D1 D591MKI 50-06 A7 without NTCT102MKI 50-06 A7T with NTC1614T2 T6D2 D611T312417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltage

Другие IGBT... MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , FGL60N100BNTD , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 .

 

 
Back to Top