STGB10NC60K - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGB10NC60K
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 46 pF
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STGB10NC60K
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGB10NC60K даташит
stgb10nc60k stgp10nc60k stgd10nc60k.pdf
STGB10NC60K - STGD10NC60K STGP10NC60K N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH IGBT General features IC VCE(sat)Max Type VCES @25 C @100 C STGB10NC60K 600V
stgb10nc60k.pdf
STGB10NC60K 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features Low on voltage drop (VCESAT) Short-circuit withstand time 10 s TAB Applications High frequency motor controls 3 1 SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies D PAK Motor drives Description This device utilizes the advanced Power MESH Figure 1. Internal schematic diagram process r
stgb10nc60kd.pdf
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ , STGB10NB60S , STGB10NC60HD , TGAN60N60F2DS , STGB10NC60KD , STGB14NC60KD , STGB18N40LZ , STGB19NC60H , STGB19NC60HD , STGB19NC60K , STGB19NC60KD , STGB19NC60S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710





