STGD10HF60KD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGD10HF60KD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4.4 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STGD10HF60KD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGD10HF60KD даташит
stgd10hf60kd.pdf
STGD10HF60KD Automotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode Datasheet - production data Features Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified TAB Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 Low Cres / Cies ratio (no cross conduction 1 susceptibility) Switching losses include diode recovery energy DPAK Short-circuit rated
stgd10nc60sd.pdf
STGD10NC60SD STGF10NC60SD 10 A, 600 V fast IGBT Features Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode 3 3 2 1 Application 1 Motor drive DPAK TO-220FP Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgd10nc60kd.pdf
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... STGB3NB60SD , STGB3NC120HD , STGB6NC60HD , STGB7NC60HD , STGB8NC60K , STGB8NC60KD , STGBL6NC60D , STGBL6NC60DI , IXRH40N120 , STGD10NC60H , STGD10NC60HD , STGD10NC60KD , STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530












