STGD10HF60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGD10HF60KD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 4.4 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Тип корпуса: DPAK
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGD10HF60KD Datasheet (PDF)
stgd10hf60kd.pdf

STGD10HF60KDAutomotive-grade 10 A, 600 V, short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diodeDatasheet - production dataFeatures Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualifiedTAB Low on-voltage drop (VCE(sat))3 Low Cres / Cies ratio (no cross conduction 1susceptibility) Switching losses include diode recovery energyDPAK Short-circuit rated
stgd10nc60sd.pdf

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgd10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... STGB3NB60SD , STGB3NC120HD , STGB6NC60HD , STGB7NC60HD , STGB8NC60K , STGB8NC60KD , STGBL6NC60D , STGBL6NC60DI , NCE80TD65BT , STGD10NC60H , STGD10NC60HD , STGD10NC60KD , STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD .
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530