Справочник IGBT. GT10Q301

 

GT10Q301 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT10Q301
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для GT10Q301

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT10Q301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  toshiba
 gt10q301.pdf pdf_icon

GT10Q301

GT10Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q301 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 8.1. Size:70K  toshiba
 gt10q311.pdf pdf_icon

GT10Q301

Другие IGBT... GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , BT15T120ANF , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 .

History: SGH10N120RUFD

 

 
Back to Top

 


 
.