GT10Q301 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT10Q301
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Тип корпуса: TO3P
- подбор IGBT транзистора по параметрам
GT10Q301 Datasheet (PDF)
gt10q301.pdf
GT10Q301 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT10Q301 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed: tf = 0.32 s (max) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) FRD included between emitter and collector Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
Другие IGBT... GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , GA75TS120U , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , RJP6065DPM , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 .
History: AOK20B120D1 | APT20GT60KR | CM150RL-24NF | IRGP4650DPBF | BM63364S-VC | 6MBI50VW-120-50
History: AOK20B120D1 | APT20GT60KR | CM150RL-24NF | IRGP4650DPBF | BM63364S-VC | 6MBI50VW-120-50
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor