STGF10NB60SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGF10NB60SD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
Тип корпуса: TO220FP
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGF10NB60SD Datasheet (PDF)
stgf10nb60sd.pdf

STGF10NB60SDSTGP10NB60SD16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diodeFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diodeApplications3 32211 Light dimmer Static relaysTO-220FPTO-220 Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.
stgf10nb60sd stgp10nb60sd.pdf

STGF10NB60SDSTGP10NB60SD16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diodeFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diodeApplications3 32211 Light dimmer Static relaysTO-220FPTO-220 Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.
stgf10nc60sd.pdf

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , GT50JR22 , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , STGF19NC60KD , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD .
History: APTGT200A170D3 | NGD15N41A | NCE40TD135LP | IGB20N65S5 | IRG4BC20KD | 2MBI300NB-060 | NCE75ED120VT4
History: APTGT200A170D3 | NGD15N41A | NCE40TD135LP | IGB20N65S5 | IRG4BC20KD | 2MBI300NB-060 | NCE75ED120VT4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830