Справочник IGBT. STGF10NB60SD

 

STGF10NB60SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGF10NB60SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GF10NB60SD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 33 nC
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для STGF10NB60SD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGF10NB60SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  st
stgf10nb60sd.pdfpdf_icon

STGF10NB60SD

STGF10NB60SDSTGP10NB60SD16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diodeFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diodeApplications3 32211 Light dimmer Static relaysTO-220FPTO-220 Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.

 ..2. Size:426K  st
stgf10nb60sd stgp10nb60sd.pdfpdf_icon

STGF10NB60SD

STGF10NB60SDSTGP10NB60SD16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diodeFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diodeApplications3 32211 Light dimmer Static relaysTO-220FPTO-220 Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.

 7.1. Size:1071K  st
stgf10nc60sd.pdfpdf_icon

STGF10NB60SD

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of

 7.2. Size:607K  st
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdfpdf_icon

STGF10NB60SD

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM

Другие IGBT... STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , FGH40N60SFD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , STGF19NC60KD , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD .

 

 
Back to Top

 


 
.