STGF10NB60SD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGF10NB60SD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STGF10NB60SD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGF10NB60SD даташит
stgf10nb60sd.pdf
STGF10NB60SD STGP10NB60SD 16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diode Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diode Applications 3 3 2 2 1 1 Light dimmer Static relays TO-220FP TO-220 Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.
stgf10nb60sd stgp10nb60sd.pdf
STGF10NB60SD STGP10NB60SD 16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diode Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diode Applications 3 3 2 2 1 1 Light dimmer Static relays TO-220FP TO-220 Motor drive Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.
stgf10nc60sd.pdf
STGD10NC60SD STGF10NC60SD 10 A, 600 V fast IGBT Features Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode 3 3 2 1 Application 1 Motor drive DPAK TO-220FP Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf
STGB10NC60KD, STGD10NC60KD STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 3 1 susceptibility) DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAK TAB Short-circuit withstand time 10 s Description This IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , GT30J124 , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , STGF19NC60KD , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD .
History: IXGH28N60B
History: IXGH28N60B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830









