STGF10NC60SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGF10NC60SD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GF10NC60SD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18 nC
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STGF10NC60SD
STGF10NC60SD Datasheet (PDF)
stgf10nc60sd.pdf

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgd10nc60sd stgf10nc60sd.pdf

STGD10NC60SDSTGF10NC60SD10 A, 600 V fast IGBTFeatures Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast antiparallel diode3321Application1 Motor driveDPAKTO-220FPDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-of
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
stgf10nc60kd.pdf

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
Другие IGBT... STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , FGPF4536 , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , STGF19NC60KD , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD , STGF20NB60S , STGF35HF60W , STGF3NC120HD .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor