STGWA19NC60HD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWA19NC60HD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA19NC60HD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWA19NC60HD даташит
stgwa19nc60hd.pdf
STGWA19NC60HD 31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode Applications 3 2 High frequency motor drives 1 SMPS and PFC in both hard switch and TO-247 resonant topologies Description This device is an ultrafast IGBT. It utilizes the advanced Power MESH process resultin
stgb19nc60hd stgf19nc60hd stgp19nc60hd stgw19nc60hd stgwa19nc60hd.pdf
STGx19NC60HD STGWA19NC60HD 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Features TAB TAB Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode 3 1 3 2 1 D PAK Applications TO-220 High frequency motor drives SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies 3 3 2 2 1 1 Description TO-220FP TO-247 This IGBT utilize
stgwa15h120df2.pdf
STGW15H120DF2, STGWA15H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247 T
stgwa15m120df3.pdf
STGW15M120DF3 STGWA15M120DF3 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance 3 Soft and fast recovery antiparallel diode 2 1 Applications TO-247 Industria
Другие IGBT... STGW45HF60WDI , STGW45NC60VD , STGW45NC60WD , STGW50H60DF , STGW50HF60S , STGW50HF60SD , STGW50NC60W , STGW60H65F , GT30F125 , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T , IKW08T120 , SKW30N60HS .
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06









