STGWF30NC60S - аналоги и описание IGBT

 

STGWF30NC60S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGWF30NC60S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF

Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для STGWF30NC60S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWF30NC60S даташит

 ..1. Size:657K  st
 stgf30nc60s stgp30nc60s stgwf30nc60s.pdf pdf_icon

STGWF30NC60S

STGF30NC60S STGP30NC60S, STGWF30NC60S 30 A, 600 V, fast IGBT Features TAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 3 2 High current capability 2 1 1 TO-220 TO-220FP Application 1 1 1 3 Motor drive 2 1 TO-3PF Description This device utilizes the advanced PowerMESHTM process result

 ..2. Size:491K  st
 stgwf30nc60s.pdf pdf_icon

STGWF30NC60S

STGF30NC60S STGP30NC60S, STGWF30NC60S 30 A, 600 V, fast IGBT Features TAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 3 2 High current capability 2 1 1 TO-220 TO-220FP Application 1 1 1 3 Motor drive 2 1 TO-3PF Description This device utilizes the advanced PowerMESH process resul

Другие IGBT... STGW45NC60WD , STGW50H60DF , STGW50HF60S , STGW50HF60SD , STGW50NC60W , STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , BT60T60ANFK , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T , IKW08T120 , SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 .

History: STGWT50HF65SD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.