STGWT38IH130D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGWT38IH130D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 63 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 102 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGWT38IH130D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWT38IH130D даташит

 ..1. Size:796K  1
stgw38ih130d stgwt38ih130d stgws38ih130d.pdfpdf_icon

STGWT38IH130D

STGW38IH130D, STGWT38IH130D 33 A - 1300 V - very fast IGBT Datasheet - production data Features Low saturation voltage High current capability Low switching loss Low static and peak forward voltage drop free- 3 wheeling diode 3 2 2 1 1 Applications Induction cooking, microwave ovens TO-247 TO-3P Soft-switching applications Description Figure 1. Inter

 8.1. Size:1911K  st
stgb30v60df stgp30v60df stgw30v60df stgwt30v60df.pdfpdf_icon

STGWT38IH130D

STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma

 8.2. Size:1635K  st
stgwt30h65fb.pdfpdf_icon

STGWT38IH130D

STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FB Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed Datasheet - production data TAB Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series 3 Minimized tail current 2 1 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A TO-3PF Tight parameters distribution 1 1 1 Safe paralleling 3 Low t

 8.3. Size:537K  st
stgwt30hp65fb.pdfpdf_icon

STGWT38IH130D

STGWT30HP65FB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current 3 2 Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A 1 TO-3P Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient C

Другие IGBT... STGW50H60DF, STGW50HF60S, STGW50HF60SD, STGW50NC60W, STGW60H65F, STGWA19NC60HD, STGWA60NC60WDR, STGWF30NC60S, GT60N321, STGY40NC60VD, STGY50NC60WD, IKW30N100T, IKW08T120, SKW30N60HS, IKW15T120, IKW25T120, IKW40T120