STGWT38IH130D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWT38IH130D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 63 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 102 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF
Тип корпуса: TO3P
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGWT38IH130D Datasheet (PDF)
stgw38ih130d stgwt38ih130d stgws38ih130d.pdf

STGW38IH130D, STGWT38IH130D33 A - 1300 V - very fast IGBTDatasheet - production dataFeatures Low saturation voltage High current capability Low switching loss Low static and peak forward voltage drop free-3wheeling diode 3221 1Applications Induction cooking, microwave ovensTO-247TO-3P Soft-switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter
stgb30v60df stgp30v60df stgw30v60df stgwt30v60df.pdf

STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedDatasheet - production dataTABFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off3 321 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A1DPAK TO-220 Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low therma
stgwt30h65fb.pdf

STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedDatasheet - production dataTABFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current21 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATO-3PF Tight parameters distribution111 Safe paralleling3 Low t
stgwt30hp65fb.pdf

STGWT30HP65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current32 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A1TO-3P Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficientC
Другие IGBT... STGW50H60DF , STGW50HF60S , STGW50HF60SD , STGW50NC60W , STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , IRG4PH50UD , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T , IKW08T120 , SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 , IKW40T120 .
History: OST80N65HMF | IRG4PC30U | SSG55N60M | OST75N65HSXF | MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF
History: OST80N65HMF | IRG4PC30U | SSG55N60M | OST75N65HSXF | MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet