SKW30N60HS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKW30N60HS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 203 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKW30N60HS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKW30N60HS даташит

 ..1. Size:338K  infineon
 skw30n60hs.pdf pdf_icon

SKW30N60HS

SKW30N60HS ^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers P-TO-247-3-1 - parallel switching capability (TO-247AC) - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution

 0.1. Size:348K  infineon
 skw30n60hsg.pdf pdf_icon

SKW30N60HS

SKW30N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggedne

 6.1. Size:471K  infineon
 skw30n60.pdf pdf_icon

SKW30N60HS

SKW30N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedn

 6.2. Size:319K  infineon
 skw30n60g.pdf pdf_icon

SKW30N60HS

SKW30N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G Designed for E - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGWA19NC60HD, STGWA60NC60WDR, STGWF30NC60S, STGWT38IH130D, STGY40NC60VD, STGY50NC60WD, IKW30N100T, IKW08T120, GT30G122, IKW15T120, IKW25T120, IKW40T120, IKA06N60T, IKB06N60T, IKA10N60T, IKB10N60T, IKA15N60T