Справочник IGBT. IKA15N60T

 

IKA15N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKA15N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K15T60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18.3 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 87 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKA15N60T

 

 

IKA15N60T Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 , IKW40T120 , IKA06N60T , IKB06N60T , IKA10N60T , IKB10N60T , RJP6065DPM , IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 .