SKW07N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKW07N120
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K07N120
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16.5 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
Тип корпуса: TO247
SKW07N120 Datasheet (PDF)
skw07n120.pdf
SKW07N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parall
skw07n120 .pdf
SKW07N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parall
Другие IGBT... IKA15N60T , IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , FGPF4536 , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2