Справочник IGBT. SKW07N120

 

SKW07N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKW07N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKW07N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  infineon
 skw07n120.pdf pdf_icon

SKW07N120

SKW07N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parall

 ..2. Size:331K  infineon
 skw07n120 .pdf pdf_icon

SKW07N120

SKW07N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parall

Другие IGBT... IKA15N60T , IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , MBQ60T65PES , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 .

History: SGP13N60UF | TIG056BF | FGW30N120HD | CIF25P120P | SGP20N60 | MMG75S120B6TN | HGTG34N100E2

 

 
Back to Top

 


 
.