SKW15N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKW15N120
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K15N120
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
Тип корпуса: TO247
SKW15N120 Datasheet (PDF)
skw15n120.pdf
SKW15N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: G- Motor controls E- Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parallel
skw15n120 .pdf
SKW15N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: G- Motor controls E- Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-247-3 - parallel
skw15n60.pdf
SKP15N60 SKW15N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high
skp15n60 skw15n60.pdf
SKP15N60 SKW15N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high
Другие IGBT... IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , MBQ60T65PES , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2