SKB04N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKB04N60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SKB04N60
SKB04N60 Datasheet (PDF)
skb04n60.pdf
SKB04N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight
skb04n60g.pdf
SKB04N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight
Другие IGBT... IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , IXGH60N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS .
History: OSC80N65HF | IHW20N120R3 | GT30F133
History: OSC80N65HF | IHW20N120R3 | GT30F133
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406