SKB04N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKB04N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKB04N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKB04N60 даташит

 ..1. Size:1143K  infineon
 skb04n60.pdf pdf_icon

SKB04N60

SKB04N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners NPT-Technology for 600V applications offers - very tight

 0.1. Size:1148K  infineon
 skb04n60g.pdf pdf_icon

SKB04N60

SKB04N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners NPT-Technology for 600V applications offers - very tight

Другие IGBT... IKW30N60T, SL50T120FZ, IKW75N60T, SKB02N120, SKW07N120, SKW15N120, SKW25N120, SKB02N60, GT50JR22, SKA06N60, SKB06N60, SKW10N60A, SKB15N60, SKW15N60, SKW20N60, SKW30N60, SKB15N60HS