SKA06N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKA06N60
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K06N60
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
Тип корпуса: TO220F
SKA06N60 Datasheet (PDF)
skp06n60 ska06n60.pdf
SKP06N60 SKA06N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: Motor controls, Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedn
ska06n60.pdf
SKP06N60 SKA06N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: Motor controls, Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedn
Другие IGBT... SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , SKW25N120 , SKB02N60 , SKB04N60 , FGH60N60SMD , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2