IKW03N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKW03N120H2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IKW03N120H2
IKW03N120H2 Datasheet (PDF)
ikw03n120h2.pdf
IKP03N120H2IKW03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledHE diodeC Designed for:- SMPS- Lamp BallastGE- ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technologyfor 1200V applications offers:- loss reduction in resonant circuitsPG-TO-247-3- temperature stable behavior- parallel switching capability- tight parameter dis
ikp03n120h2 ikw03n120h2 rev2 5g.pdf
IKP03N120H2 IKW03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis
Другие IGBT... SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , IKB03N120H2 , CRG60T60AN3H , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2