IKW03N120H2 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

IKW03N120H2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKW03N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKW03N120H2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW03N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  infineon
 ikw03n120h2.pdf pdf_icon

IKW03N120H2

IKP03N120H2IKW03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledHE diodeC Designed for:- SMPS- Lamp BallastGE- ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technologyfor 1200V applications offers:- loss reduction in resonant circuitsPG-TO-247-3- temperature stable behavior- parallel switching capability- tight parameter dis

 ..2. Size:375K  infineon
 ikp03n120h2 ikw03n120h2 rev2 5g.pdf pdf_icon

IKW03N120H2

IKP03N120H2 IKW03N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits PG-TO-247-3 - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter dis

Другие IGBT... SKW20N60 , SKW30N60 , SKB15N60HS , SKW20N60HS , IKB01N120H2 , SKB06N60HS , IKA03N120H2 , IKB03N120H2 , FGA60N65SMD , IHW30N100R , IHW30N90R , IHW30N60T , IHW30N160R2 , IHW40T120 , IHW30N100T , IHW30N90T , IHW40N60T .

History: HM15N120A | FGB3040CS | FGH40N60SMD-F085 | FGH12040WD | FGD5T120SH | FGI3236-F085 | FGD3245G2-F085C

 

 
Back to Top

 


 
.