Справочник IGBT. IHW15N120R3

 

IHW15N120R3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW15N120R3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H15R1203
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.48 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 165 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHW15N120R3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW15N120R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1849K  infineon
ihw15n120r3.pdfpdf_icon

IHW15N120R3

IHW15N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temperature stable behaviorE- low VCEsat- easy parallel switching capability

 ..2. Size:1590K  infineon
ihw15n120r3 2 2.pdfpdf_icon

IHW15N120R3

IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW15N120R3Data sheetIndustrial & MultimarketIHW15N120R3IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TrenchStopTM technology applications offers: - very tight parameter distributionG -

 4.1. Size:569K  1
ihw15n120r2 h15r1202.pdfpdf_icon

IHW15N120R3

IHW15N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior Low EMI

 5.1. Size:1900K  1
ihw15n120e1.pdfpdf_icon

IHW15N120R3

Resonant Soft-Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switchingIHW15N120E1Data sheetIndustrial Power ControlIHW15N120E1Resonant Soft-Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applic

Другие IGBT... IHW15T120 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , SGH80N60UFD , IKP04N60T , IKP06N60T , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.