Справочник IGBT. IKP10N60T

 

IKP10N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP10N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKP10N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  infineon
 ikp10n60t.pdf pdf_icon

IKP10N60T

IKP10N60T TRENCHSTOP Series p Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features: C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : GE - Variable Speed Drive for washing machines, air condition

 0.1. Size:346K  infineon
 ikp10n60trev2 3g.pdf pdf_icon

IKP10N60T

IKP10N60T TrenchStop Series p Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cook

Другие IGBT... IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 , IKP04N60T , IKP06N60T , IKW30N60H3 , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 .

History: MMG50A120B7HN | SSG55N60M | OST80N65HMF | OST75N65HSXF | IRG4PC30U | CPV364M4KPBF

 

 
Back to Top

 


 
.