IKP10N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKP10N60T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKP10N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP10N60T даташит

 ..1. Size:453K  infineon
 ikp10n60t.pdf pdf_icon

IKP10N60T

IKP10N60T TRENCHSTOP Series p Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Features C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s Designed for G E - Variable Speed Drive for washing machines, air condition

 0.1. Size:346K  infineon
 ikp10n60trev2 3g.pdf pdf_icon

IKP10N60T

IKP10N60T TrenchStop Series p Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Designed for - Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cook

Другие IGBT... IKW25N120T2, IKW40N120T2, SKB10N60A, IKI04N60T, IHW20N120R3, IHW15N120R3, IKP04N60T, IKP06N60T, IRG7IC28U, IKP15N60T, IKP20N60T, SKP02N60, SKP04N60, SKP06N60, SKP10N60A, SKP15N60, IKP01N120H2