SKP04N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SKP04N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SKP04N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKP04N60 даташит

 ..1. Size:396K  infineon
 skp04n60.pdf pdf_icon

SKP04N60

SKP04N60 SKB04N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 75% lower Eoff compared to previous generation C combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness,

Другие IGBT... IHW20N120R3, IHW15N120R3, IKP04N60T, IKP06N60T, IKP10N60T, IKP15N60T, IKP20N60T, SKP02N60, IRG4PC50U, SKP06N60, SKP10N60A, SKP15N60, IKP01N120H2, IKP03N120H2, SKP02N120, IHY15N120R3, IHY20N120R3