Справочник IGBT. SKP15N60

 

SKP15N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKP15N60
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K15N60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 84 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 76 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SKP15N60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKP15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  infineon
 skp15n60.pdf pdf_icon

SKP15N60

SKP15N60 SKW15N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high

 ..2. Size:371K  infineon
 skp15n60 skw15n60.pdf pdf_icon

SKP15N60

SKP15N60 SKW15N60Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high

Другие IGBT... IKP06N60T , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , YGW40N65F1 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 .

History: APT13GP120BSC

 

 
Back to Top

 


 
.