IHY15N120R3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IHY15N120R3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.48 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IHY15N120R3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHY15N120R3 даташит

 ..1. Size:927K  infineon
 ihy15n120r3.pdf pdf_icon

IHY15N120R3

IHY15N120R3 IH-series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology offering - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat - easy parallel switching capability due to positive te

Другие IGBT... SKP02N60, SKP04N60, SKP06N60, SKP10N60A, SKP15N60, IKP01N120H2, IKP03N120H2, SKP02N120, IRG4PC50UD, IHY20N120R3, IHY30N160R2, IKW15N120H3, IKW25N120H3, IKW40N120H3, IKD10N60R, IKU10N60R, IKD15N60R