Справочник IGBT. IHY15N120R3

 

IHY15N120R3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHY15N120R3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.48 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHY15N120R3

 

 

IHY15N120R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  infineon
 ihy15n120r3.pdf

IHY15N120R3 IHY15N120R3

IHY15N120R3IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation onlyGE TrenchStop technology offering: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to positive te

Другие IGBT... SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , SKP02N120 , MGD623S , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R .

 

 
Back to Top