IKU15N60R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IKU15N60R
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K15R60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 90 nC
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IKU15N60R

 

 

IKU15N60R Datasheet (PDF)

Другие IGBT... IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R , STGW60V60DF , IKD04N60R , IKU04N60R , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 .