Справочник IGBT. IKU15N60R

 

IKU15N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKU15N60R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IKU15N60R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKU15N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1797K  infineon
 iku15n60r.pdf pdf_icon

IKU15N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD15N60R, IKU15N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD15N60R, IKU15N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

Другие IGBT... IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R , IKD15N60R , MGD623S , IKD04N60R , IKU04N60R , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 .

History: 1MBI1600U4C-120 | CRGMF100T120FSA3 | 2M410B1 | IXBH15N140 | HGTG20N60C3DR

 

 
Back to Top

 


 
.