Справочник IGBT. IHW40N60RF

 

IHW40N60RF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW40N60RF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H40RF60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 88 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 220 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW40N60RF

 

 

IHW40N60RF Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R , IKU04N60R , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , XNF15N60T , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 , IKW50N60H3 , IKP20N60H3 , IHY20N135R3 , IKD03N60RF , IKD04N60RF .