GT25H101 - аналоги и описание IGBT

 

GT25H101 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GT25H101

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT25H101

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT25H101 даташит

 ..1. Size:119K  toshiba
 gt25h101.pdf pdf_icon

GT25H101

 8.1. Size:162K  macmic
 mmgt25h120xb6c.pdf pdf_icon

GT25H101

MMGT25H120XB6C 1200V 25A PIM Module September 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

Другие IGBT... GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , CRG60T60AN3H , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 .

History: GT20J311 | GT20G102 | GT20J301

 

 

 

 

↑ Back to Top
.