GT25H101 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT25H101
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Тип корпуса: TO3P
GT25H101 Datasheet (PDF)
8.1. Size:162K macmic
mmgt25h120xb6c.pdf
mmgt25h120xb6c.pdf
MMGT25H120XB6C1200V 25A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba
Другие IGBT... GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , BT40T60ANF , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2