Справочник IGBT. SGB06N60

 

SGB06N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGB06N60
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G06N60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SGB06N60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGB06N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  infineon
 sgb06n60.pdf pdf_icon

SGB06N60

SGB06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D-P

 ..2. Size:784K  infineon
 sgb06n60 .pdf pdf_icon

SGB06N60

SGB06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D-P

Другие IGBT... SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , BT60T60ANFK , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.