SGD06N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGD06N60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SGD06N60
SGD06N60 Datasheet (PDF)
sgd06n60.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
sgp06n60 sgd06n60g.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
Другие IGBT... SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , KGF75N65KDF , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent