SGD06N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGD06N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGD06N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGD06N60 даташит

 ..1. Size:338K  infineon
 sgd06n60.pdf pdf_icon

SGD06N60

SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252

 0.1. Size:340K  infineon
 sgp06n60 sgd06n60g.pdf pdf_icon

SGD06N60

SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252

Другие IGBT... SGB02N120, SGD02N120, SGD02N60, SGB04N60, SGW02N120, SGD04N60, SGB07N120, SGB06N60, CRG40T65AK5HD, SGB15N120, SGW15N120, SGB10N60A, SGW25N120, SGW10N60A, SGB15N60, SGW15N60, SGB20N60