Справочник IGBT. SGD06N60

 

SGD06N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGD06N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SGD06N60

 

 

SGD06N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  infineon
 sgd06n60.pdf

SGD06N60 SGD06N60

SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252

 0.1. Size:340K  infineon
 sgp06n60 sgd06n60g.pdf

SGD06N60 SGD06N60

SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252

Другие IGBT... SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , IRGP4063 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 .

 

 
Back to Top