SGD06N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGD06N60
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G06N60
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 38 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
Тип корпуса: TO252
SGD06N60 Datasheet (PDF)
sgd06n60.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
sgp06n60 sgd06n60g.pdf
SGP06N60 SGD06N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-252
Другие IGBT... SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , IRGP4063 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 .
History: IXSX40N60BD1
History: IXSX40N60BD1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent