SGW10N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGW10N60A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGW10N60A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW10N60A даташит

 ..1. Size:321K  infineon
 sgp10n60a sgw10n60a rev2.pdf pdf_icon

SGW10N60A

SGP10N60A SGW10N60A Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for - Motor controls - Inverter PG-TO-247-3 NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable b

 ..2. Size:348K  infineon
 sgw10n60a.pdf pdf_icon

SGW10N60A

SGP10N60A SGW10N60A Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for - Motor controls - Inverter PG-TO-247-3 NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable b

 ..3. Size:348K  infineon
 sgp10n60a sgw10n60a rev2 5g.pdf pdf_icon

SGW10N60A

SGP10N60A SGW10N60A Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses G Short circuit withstand time 10 s E Designed for - Motor controls - Inverter PG-TO-247-3 NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable b

 6.1. Size:273K  samsung
 sgw10n60rufd.pdf pdf_icon

SGW10N60A

CO-PAK IGBT SGW10N60RUFD FEATURES D2-PAK * Short Circuit rated 10uS @Tc=100 * High Speed Switching * Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.95 V @ Ic=10A * High Input Impedance * CO-PAK, IGBT with FRD Trr = 42nS (Typ) C APPLICATIONS * AC & DC Motor controls G * General Purpose Inverters * Robotics , Servo Controls * Power Supply E * Lamp Ballast ABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGD04N60, SGB07N120, SGB06N60, SGD06N60, SGB15N120, SGW15N120, SGB10N60A, SGW25N120, MBQ60T65PES, SGB15N60, SGW15N60, SGB20N60, SGW20N60, SGB30N60, SGW30N60, SGP02N60, SGP04N60