Справочник IGBT. SGP04N60

 

SGP04N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGP04N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGP04N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  infineon
 sgp04n60.pdf pdf_icon

SGP04N60

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25

 ..2. Size:342K  infineon
 sgp04n60 sgd04n60g.pdf pdf_icon

SGP04N60

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25

Другие IGBT... SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 , SGW20N60 , SGB30N60 , SGW30N60 , SGP02N60 , SGT40N60NPFDPN , SGP06N60 , SGP15N60 , SGP20N60 , SGP30N60 , SGI02N120 , SGP02N120 , SGP07N120 , SGP15N120 .

History: SSG55N60M | OST80N65HMF | MMG50A120B7HN | OST75N65HSXF | CPV364M4KPBF | IRG4PC30U

 

 
Back to Top

 


 
.