SGP04N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGP04N60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGP04N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGP04N60 даташит

 ..1. Size:339K  infineon
 sgp04n60.pdf pdf_icon

SGP04N60

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25

 ..2. Size:342K  infineon
 sgp04n60 sgd04n60g.pdf pdf_icon

SGP04N60

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for - Motor controls G E - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25

Другие IGBT... SGW10N60A, SGB15N60, SGW15N60, SGB20N60, SGW20N60, SGB30N60, SGW30N60, SGP02N60, GT50JR22, SGP06N60, SGP15N60, SGP20N60, SGP30N60, SGI02N120, SGP02N120, SGP07N120, SGP15N120