Справочник IGBT. IGB01N120H2

 

IGB01N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGB01N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G01H1202
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8.6 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IGB01N120H2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGB01N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  infineon
 igb01n120h2.pdf pdf_icon

IGB01N120H2

IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali

 ..2. Size:1180K  infineon
 igb01n120h2 rev2 4g.pdf pdf_icon

IGB01N120H2

IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali

Другие IGBT... SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , SGW50N60HS , SGP20N60HS , SGP30N60HS , IKW75N60T , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 , IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 .

 

 
Back to Top

 


 
.