IGB01N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGB01N120H2
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G01H1202
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8.6 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IGB01N120H2
IGB01N120H2 Datasheet (PDF)
igb01n120h2.pdf
IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali
igb01n120h2 rev2 4g.pdf
IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali
Другие IGBT... SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , SGW50N60HS , SGP20N60HS , SGP30N60HS , FGH60N60SFD , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 , IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2