IGB01N120H2 - аналоги и описание IGBT

 

IGB01N120H2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGB01N120H2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IGB01N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGB01N120H2 даташит

 ..1. Size:1175K  infineon
 igb01n120h2.pdf pdf_icon

IGB01N120H2

IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali

 ..2. Size:1180K  infineon
 igb01n120h2 rev2 4g.pdf pdf_icon

IGB01N120H2

IGB01N120H2 HighSpeed 2-Technology C Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A Quali

Другие IGBT... SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , SGW50N60HS , SGP20N60HS , SGP30N60HS , FGH60N60SFD , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 , IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.