GT50G101 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GT50G101
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для GT50G101
GT50G101 Datasheet (PDF)
Другие IGBT... GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , RJH30E2DPP , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 .
History: IRG4PC20U
History: IRG4PC20U
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264