Справочник IGBT. IRG4BC15UD-S

 

IRG4BC15UD-S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC15UD-S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.02 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 23 nC
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для IRG4BC15UD-S

 

 

IRG4BC15UD-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  international rectifier
 irg4bc15ud-s.pdf

IRG4BC15UD-S IRG4BC15UD-S

PD - 94083AIRG4BC15UD-SIRG4BC15UD-LINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard D2Pak & TO-262 packages@VGE = 15V,

 3.1. Size:214K  international rectifier
 irg4bc15ud-l.pdf

IRG4BC15UD-S IRG4BC15UD-S

PD - 94083AIRG4BC15UD-SIRG4BC15UD-LINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard D2Pak & TO-262 packages@VGE = 15V,

 4.1. Size:222K  international rectifier
 irg4bc15ud.pdf

IRG4BC15UD-S IRG4BC15UD-S

PD - 94082AIRG4BC15UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesVCES = 600V UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to 30 kHz in hard switchingVCE(on) typ. = 2.02V IGBT Co-packaged with ultra-soft-recoveryG antiparallel diode Industry standard TO-220AB package@VGE = 15V, IC = 7.8AEn-channe

 6.1. Size:223K  international rectifier
 irg4bc15md.pdf

IRG4BC15UD-S IRG4BC15UD-S

PD- 94151AIRG4BC15MDShort Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Rugged: 10sec short circuit capable at VGS = 15VVCES = 600V Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications IGBT co-packaged with ultra-soft-recovery anti-parallel diodes VCE(on) typ. = 1.88VG Indus

Другие IGBT... SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD , IRG4BC15UD , IRG4BC15UD-L , IHW20N120R2 , IRG4BC20MD , IRG4BC20MD-S , IRG4BC20UD-S , IRG4BC20W-S , IRG4BC30FD1 , IRG4BC30FD-S , IRG4BC30S-S , IRG4BC30U-S .

 

 
Back to Top