GT50G102 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: GT50G102
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для GT50G102
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
GT50G102 даташит
Другие IGBT... GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , IRG7IC28U , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , GT50S101 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690