GT50G102 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT50G102
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для GT50G102

 

 

GT50G102 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , IRGP4063D , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , GT50S101 .