IRG6I320U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG6I320U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 46 nC
Тип корпуса: TO220F
IRG6I320U Datasheet (PDF)
irg6i320u.pdf
PD - 97351AIRG6I320UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 24A1.45 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl
irg6i330u.pdf
PD - 96192AIRG6I330UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 28A1.30 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
irg6ic30u.pdf
PD - 97386IRG6IC30UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min600 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 25A1.50 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C 250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
Другие IGBT... IRG4PC60F , IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IXGH60N60 , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2