IRG6S330U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG6S330U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
Тип корпуса: D2PAK
IRG6S330U Datasheet (PDF)
Другие IGBT... IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , RJP63F3DPP-M0 , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U , IRG7PA19U , IRG7PC28U .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2