Справочник IGBT. IRG6S330U

 

IRG6S330U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG6S330U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IRG6S330U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG6S330U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  international rectifier
 irg6s330u.pdf pdf_icon

IRG6S330U

PD - 96217APDP TRENCH IGBTIRG6S330UPbFKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 70Al Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L

 8.1. Size:287K  international rectifier
 irg6s320u.pdf pdf_icon

IRG6S330U

PD -96218APDP TRENCH IGBTIRG6S320UPbFKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 24A1.45 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L

Другие IGBT... IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , IRG6S320U , IHW20N120R3 , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U , IRG7PA19U , IRG7PC28U .

 

 
Back to Top

 


 
.