IRG6S330U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG6S330U  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG6S330U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG6S330U даташит

 ..1. Size:232K  international rectifier
 irg6s330u.pdf pdf_icon

IRG6S330U

PD - 96217A PDP TRENCH IGBT IRG6S330UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 70A l Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

 8.1. Size:287K  international rectifier
 irg6s320u.pdf pdf_icon

IRG6S330U

PD -96218A PDP TRENCH IGBT IRG6S320UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 24A 1.45 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

Другие IGBT... IRG4PSH71U, IRG4PSH71UD, IRG4RC20F, IRG6B330UD, IRG6I320U, IRG6I330U, IRG6IC30U, IRG6S320U, RJP30H1DPD, IRG7I313U, IRG7I319U, IRG7IA13U, IRG7IA19U, IRG7IC28U, IRG7P313U, IRG7PA19U, IRG7PC28U